Только для справки
| номер части | IPA60R080P7XKSA1 |
| LIXINC Part # | IPA60R080P7XKSA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 37A TO220 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPA60R080P7XKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPA60R080P7XKSA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ P7 |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 37A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 80mOhm @ 11.8A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 590µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 51 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2180 pF @ 400 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 29W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO220 Full Pack |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 Full Pack |
| IXTP2N100 | MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB | 3190 Подробнее о заказе |
|
| APT6010B2FLLG | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | 894 Подробнее о заказе |
|
| CSD17301Q5A | MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON | 14949 Подробнее о заказе |
|
| SPA08N50C3XK | N-CHANNEL POWER MOSFET | 896 Подробнее о заказе |
|
| FDD86380-F085 | MOSFET N-CH 80V 50A DPAK | 2124 Подробнее о заказе |
|
| NVB6413ANT4G | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK-3 | 977 Подробнее о заказе |
|
| NVE4153NT1G | MOSFET N-CH 20V 915MA SC89 | 6890 Подробнее о заказе |
|
| IMW120R140M1HXKSA1 | SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3 | 1230 Подробнее о заказе |
|
| FQD13N10LTM | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | 2291 Подробнее о заказе |
|
| MTM761100LBF | MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6 | 3674 Подробнее о заказе |
|
| IXTH16P60P | MOSFET P-CH 600V 16A TO247 | 1140 Подробнее о заказе |
|
| STB35NF10T4 | MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK | 1874 Подробнее о заказе |
|
| STF10NK50Z | MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP | 849 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10971 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $4.96000 | $4.96 |
| 10 | $4.45457 | $44.5457 |
| 100 | $3.70444 | $370.444 |
| 500 | $3.05448 | $1527.24 |
| 1000 | $2.62116 | $2621.16 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.