Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

SPB80P06PGATMA1

SPB80P06PGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части SPB80P06PGATMA1
LIXINC Part # SPB80P06PGATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SPB80P06PGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SPB80P06PGATMA1 Технические характеристики

номер части:SPB80P06PGATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:SIPMOS®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:23mOhm @ 64A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 5.5mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:173 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5033 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):340W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SPB80P06PGATMA1 Документы

if SPB80P06PGATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STW7N105K5 STW7N105K5 MOSFET N-CH 1050V 4A TO247 863

Подробнее о заказе
STQ2HNK60ZR-AP STQ2HNK60ZR-AP MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3 9401

Подробнее о заказе
FQB8N60CFTM FQB8N60CFTM MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK 9337

Подробнее о заказе
IXTK120P20T IXTK120P20T MOSFET P-CH 200V 120A TO264 2050

Подробнее о заказе
IPU95R2K0P7AKMA1 IPU95R2K0P7AKMA1 MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3 891

Подробнее о заказе
STP150N3LLH6 STP150N3LLH6 MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB 957

Подробнее о заказе
AOI8N25 AOI8N25 MOSFET N-CH 250V 8A TO251A 956

Подробнее о заказе
IRF150P220XKMA1 IRF150P220XKMA1 MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3 831

Подробнее о заказе
DMP2088LCP3-7 DMP2088LCP3-7 MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3 2808

Подробнее о заказе
TPW1R005PL,L1Q TPW1R005PL,L1Q MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP 6499

Подробнее о заказе
NTMS3P03R2 NTMS3P03R2 MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC 47860

Подробнее о заказе
IXTH12N65X2 IXTH12N65X2 MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3 858

Подробнее о заказе
RTL020P02TR RTL020P02TR MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6 4834

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10907 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$4.28000$4.28
1000$2.35382$2353.82
2000$2.23613$4472.26
5000$2.15206$10760.3

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top