RD3G07BATTL1 | ROHM Semiconductor RD3G07BATTL1 | RD3G07BATTL1 Inventory, Best Pricing

RD3G07BATTL1

Увеличить

Только для справки

номер части	RD3G07BATTL1
LIXINC Part #	RD3G07BATTL1
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RD3G07BATTL1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RD3G07BATTL1 Технические характеристики

номер части:	RD3G07BATTL1
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	70A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	7.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	105 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	5550 pF @ 20 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	101W (Ta)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-252
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.16000	$2.16

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015