Только для справки
| номер части | IPD80R1K0CEBTMA1 |
| LIXINC Part # | IPD80R1K0CEBTMA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPD80R1K0CEBTMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPD80R1K0CEBTMA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 5.7A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 950mOhm @ 3.6A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.9V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 31 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 785 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 83W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-252-3 |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| FDC645N | MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6 | 7900 Подробнее о заказе |
|
| IRFS4321TRLPBF | MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK | 3589 Подробнее о заказе |
|
| IRFR024TRPBF | MOSFET N-CH 60V 14A DPAK | 1018 Подробнее о заказе |
|
| IRFL4310TRPBF | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 | 30194 Подробнее о заказе |
|
| BUK953R2-40E,127 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | 918 Подробнее о заказе |
|
| DMN26D0UFB4-7 | MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN | 62999 Подробнее о заказе |
|
| TK17E65W,S1X | MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220 | 861 Подробнее о заказе |
|
| IPD50P03P4L11ATMA2 | MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31 | 1000 Подробнее о заказе |
|
| AO4292E | MOSFET N-CH 100V 8A 8SOIC | 823 Подробнее о заказе |
|
| BSZ340N08NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON | 3584 Подробнее о заказе |
|
| DMP2040UFDF-7 | MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN | 137512838 Подробнее о заказе |
|
| IRFU214PBF | MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA | 3288 Подробнее о заказе |
|
| TK35N65W5,S1F | MOSFET N-CH 650V 35A TO247 | 831 Подробнее о заказе |
| В наличии | 23207 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.57000 | $0.57 |
| 2500 | $0.57000 | $1425 |
| 5000 | $0.54491 | $2724.55 |
| 12500 | $0.52698 | $6587.25 |
| 25000 | $0.51264 | $12816 |
| 62500 | $0.49830 | $31143.75 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.