IPW60R099P7XKSA1

IPW60R099P7XKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPW60R099P7XKSA1
LIXINC Part # IPW60R099P7XKSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPW60R099P7XKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPW60R099P7XKSA1 Технические характеристики

номер части:IPW60R099P7XKSA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ P7
упаковка:Tube
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:31A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:99mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 530µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1952 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):117W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO247-3
упаковка / чехол:TO-247-3

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STP400N4F6 STP400N4F6 MOSFET N-CH 40V 120A TO220 1336

Подробнее о заказе

2N7002 2N7002 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 2147484507

Подробнее о заказе

RJK03B7DPA-00#J53 RJK03B7DPA-00#J53 MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK 12943

Подробнее о заказе

NTMFS4833NT1G NTMFS4833NT1G MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN 2147484456

Подробнее о заказе

IXFA4N100Q IXFA4N100Q MOSFET N-CH 1000V 4A TO263 923

Подробнее о заказе

AOD464 AOD464 MOSFET N-CH 105V 40A TO252 985

Подробнее о заказе

SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO 89752

Подробнее о заказе

BSS606NH6327 BSS606NH6327 BSS606 - 250V-600V SMALL SIGNAL 416077

Подробнее о заказе

IPS075N03LG IPS075N03LG N-CHANNEL POWER MOSFET 825

Подробнее о заказе

FQP65N06 FQP65N06 MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3 1955

Подробнее о заказе

AOT1608L AOT1608L MOSFET N-CH 60V 11A/140A TO220 949

Подробнее о заказе

SIR464DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 4326

Подробнее о заказе

IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1 MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 1097

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10981 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$5.07000$5.07
10$4.55279$45.5279
240$3.78606$908.6544
720$3.12173$2247.6456
1200$2.67886$3214.632

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top