Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDB8878

FDB8878
Увеличить

Только для справки

номер части FDB8878
LIXINC Part # FDB8878
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 48A TO263
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDB8878 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDB8878 Технические характеристики

номер части:FDB8878
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:PowerTrench®
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:48A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:14mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.235 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):47.3W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:TO-263
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB8878 Документы

if FDB8878 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NTD5C434NT4G NTD5C434NT4G MOSFET N-CH 40V 33A/160A DPAK 896

Подробнее о заказе
2SK3199 2SK3199 MOSFET N-CH 500V 5A TO220F 806

Подробнее о заказе
FDMS86163P FDMS86163P MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN 1144

Подробнее о заказе
ISL9N302AS3 ISL9N302AS3 MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA 1319

Подробнее о заказе
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 862

Подробнее о заказе
MCU80N03-TP MCU80N03-TP MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 3104

Подробнее о заказе
IRFW610BTM IRFW610BTM N-CHANNEL POWER MOSFET 828

Подробнее о заказе
SCH1333-TL-H SCH1333-TL-H MOSFET P-CH 20V 2A 6SCH 5966

Подробнее о заказе
SIUD406ED-T1-GE3 SIUD406ED-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806 10649

Подробнее о заказе
IPA60R230P6 IPA60R230P6 IPA60R230 - 600V COOLMOS N-CHANN 1431

Подробнее о заказе
FDB28N30TM FDB28N30TM MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK 868

Подробнее о заказе
SQ2301ES-T1_GE3 SQ2301ES-T1_GE3 MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236 1343

Подробнее о заказе
STK22N6F3 STK22N6F3 MOSFET N-CH 60V 22A POLARPAK 872

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10927 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.37000$0.37

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top