Только для справки
| номер части | BSF035NE2LQXUMA1 |
| LIXINC Part # | BSF035NE2LQXUMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 25V 22A/69A 2WDSON |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | BSF035NE2LQXUMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | BSF035NE2LQXUMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | OptiMOS™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 25 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 22A (Ta), 69A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 3.5mOhm @ 30A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 25 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1862 pF @ 12 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.2W (Ta), 28W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| упаковка / чехол: | 3-WDSON |
| SQJA80EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 | 4493 Подробнее о заказе |
|
| STP85NF55L | MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB | 1109 Подробнее о заказе |
|
| STD60NF55LAT4 | MOSFET N-CH 55V 60A DPAK | 989 Подробнее о заказе |
|
| DMN3027LFG-13 | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 | 818 Подробнее о заказе |
|
| DMTH6010SPS-13 | MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 | 884 Подробнее о заказе |
|
| BUK952R8-30B,127 | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB | 987 Подробнее о заказе |
|
| SD214DE TO-72 4L | HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO | 1960 Подробнее о заказе |
|
| IXFR38N80Q2 | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 | 984 Подробнее о заказе |
|
| NTD24N06L-1G | MOSFET N-CH 60V 24A IPAK | 808 Подробнее о заказе |
|
| FQB8P10TM | MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK | 942 Подробнее о заказе |
|
| SISH108DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH | 6928 Подробнее о заказе |
|
| SI4196DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8A 8SO | 905 Подробнее о заказе |
|
| IXFP72N20X3 | MOSFET N-CH 200V 72A TO220 | 982352 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10905 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.49210 | $0.4921 |
| 5000 | $0.49210 | $2460.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.