Только для справки
| номер части | IPA80R900P7XKSA1 |
| LIXINC Part # | IPA80R900P7XKSA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 800V 6A TO220 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPA80R900P7XKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPA80R900P7XKSA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ P7 |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 6A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 110µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 15 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 350 pF @ 500 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 26W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO220 Full Pack |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 Full Pack |
| R6009ENX | MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM | 1380 Подробнее о заказе |
|
| BSS84AKW,115 | MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323 | 21800 Подробнее о заказе |
|
| SI7328DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 | 865 Подробнее о заказе |
|
| DMT6012LFDF-7 | MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN | 3854 Подробнее о заказе |
|
| FDMS7672AS | MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN | 3381 Подробнее о заказе |
|
| DMN1150UFB-7B | MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN | 2147484583 Подробнее о заказе |
|
| IGT60R070D1ATMA1 | GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF | 4638 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R199CPXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 | 1112 Подробнее о заказе |
|
| FDG330P | MOSFET P-CH 12V 2A SC88 | 222209 Подробнее о заказе |
|
| TPH3206PD | GANFET N-CH 600V 17A TO220AB | 1176 Подробнее о заказе |
|
| FQAF11N90 | MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF | 2366 Подробнее о заказе |
|
| IXFH4N100Q | MOSFET N-CH 1000V 4A TO247AD | 849 Подробнее о заказе |
|
| FDMS86310 | MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN | 462615924 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11743 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.60000 | $1.6 |
| 10 | $1.42922 | $14.2922 |
| 100 | $1.14517 | $114.517 |
| 500 | $0.90502 | $452.51 |
| 1000 | $0.73037 | $730.37 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.