BSC019N02KSGAUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC019N02KSGAUMA1 | BSC019N02KSGAUMA1 Inventory, Best Pricing

BSC019N02KSGAUMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSC019N02KSGAUMA1
LIXINC Part #	BSC019N02KSGAUMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSC019N02KSGAUMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSC019N02KSGAUMA1 Технические характеристики

номер части:	BSC019N02KSGAUMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	30A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	1.95mOhm @ 50A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.2V @ 350µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	85 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	13000 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.8W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

IXTA08N100P	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263	954 Подробнее о заказе
AOTF66613L	MOSFET N-CH 60V 44.5A/90A TO220F	1875 Подробнее о заказе
PSMN9R0-25MLC,115	MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33	884 Подробнее о заказе
IRLR3114ZTRPBF	MOSFET N-CH 40V 42A DPAK	9436 Подробнее о заказе
CSD13385F5T	MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR	7663 Подробнее о заказе
RJK03B9DPA-00#J5A	MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK	3947 Подробнее о заказе
SI4466DY	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	919 Подробнее о заказе
AOD3N40	MOSFET N CH 400V 2.6A TO252	833 Подробнее о заказе
FQB27P06TM	MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK	805 Подробнее о заказе
ZXMP4A16GTA	MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT223	25780 Подробнее о заказе
STB28NM50N	MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK	877 Подробнее о заказе
BSP296L6433HTMA1	MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4	945 Подробнее о заказе
APT5024SLLG	MOSFET N-CH 500V 22A D3PAK	804 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.21958	$1.21958
5000	$1.20277	$6013.85

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015