FDD86367-F085

FDD86367-F085
Увеличить

Только для справки

номер части FDD86367-F085
LIXINC Part # FDD86367-F085
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDD86367-F085 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDD86367-F085 Технические характеристики

номер части:FDD86367-F085
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:4.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:88 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4840 pF @ 40 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):227W (Tj)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D-PAK (TO-252)
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

CEDM7002AE TR PBFREE CEDM7002AE TR PBFREE MOSFET N-CH 60V 300MA SOT883L 2147484627

Подробнее о заказе

FDMC86320 FDMC86320 MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP 3744

Подробнее о заказе

IXTX600N04T2 IXTX600N04T2 MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247-3 1875

Подробнее о заказе

SUM85N15-19-E3 SUM85N15-19-E3 MOSFET N-CH 150V 85A TO263 1132

Подробнее о заказе

IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN 13806

Подробнее о заказе

SSW7N60BTM SSW7N60BTM N-CHANNEL POWER MOSFET 1676

Подробнее о заказе

IPB80N04S2-H4 IPB80N04S2-H4 IPB80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT 1236

Подробнее о заказе

IPB50N12S3L15ATMA1 IPB50N12S3L15ATMA1 IPB50N12 - 120V-300V N-CHANNEL A 1630

Подробнее о заказе

IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3GXKSA1 MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3 914

Подробнее о заказе

IXTT3N200P3HV IXTT3N200P3HV MOSFET N-CH 2000V 3A TO268 1806

Подробнее о заказе

AOB414 AOB414 MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263 1146

Подробнее о заказе

AON6236 AON6236 MOSFET N-CH 40V 19A/30A 8DFN 186206

Подробнее о заказе

FDN304P FDN304P SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 939

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11871 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.68000$1.68
2500$0.73975$1849.375
5000$0.70276$3513.8
12500$0.67635$8454.375

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top