BSS126H6327XTSA2 | IR (Infineon Technologies) BSS126H6327XTSA2 | BSS126H6327XTSA2 Inventory, Best Pricing

BSS126H6327XTSA2

Увеличить

Только для справки

номер части	BSS126H6327XTSA2
LIXINC Part #	BSS126H6327XTSA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSS126H6327XTSA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSS126H6327XTSA2 Технические характеристики

номер части:	BSS126H6327XTSA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	SIPMOS®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	21mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	0V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	500Ohm @ 16mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.6V @ 8µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	2.1 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	28 pF @ 25 V
Фет-функция:	Depletion Mode
рассеиваемая мощность (макс.):	500mW (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	SOT-23-3
упаковка / чехол:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015