FDD5810-F085

FDD5810-F085
Увеличить

Только для справки

номер части FDD5810-F085
LIXINC Part # FDD5810-F085
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDD5810-F085 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDD5810-F085 Технические характеристики

номер части:FDD5810-F085
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:7.4A (Ta), 37A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:22mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:34 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.89 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):72W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D-PAK (TO-252)
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AOD5T40P AOD5T40P MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252 1568

Подробнее о заказе

HUFA75309T3ST HUFA75309T3ST MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4 35435

Подробнее о заказе

FDS86106 FDS86106 MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC 139078362

Подробнее о заказе

SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP 3605

Подробнее о заказе

AUIRF5210STRL AUIRF5210STRL MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK 971

Подробнее о заказе

NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT1G POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 1555

Подробнее о заказе

FQPF8N80C FQPF8N80C MOSFET N-CH 800V 8A TO220F 1189

Подробнее о заказе

DMG3407SSN-7 DMG3407SSN-7 MOSFET P-CH 30V 4A SC59 928

Подробнее о заказе

BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 882

Подробнее о заказе

SIHH20N50E-T1-GE3 SIHH20N50E-T1-GE3 MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8 3634

Подробнее о заказе

SIHP8N50D-GE3 SIHP8N50D-GE3 MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB 1210

Подробнее о заказе

FQAF5N90 FQAF5N90 MOSFET N-CH 900V 4.1A TO3PF 847

Подробнее о заказе

SQM60030E_GE3 SQM60030E_GE3 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK 1749

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10943 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.42000$0.42
2500$0.42000$1050
5000$0.39900$1995
12500$0.38400$4800

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top