Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IAUC80N04S6L032ATMA1

IAUC80N04S6L032ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IAUC80N04S6L032ATMA1
LIXINC Part # IAUC80N04S6L032ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание IAUC80N04S6L032ATMA1
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IAUC80N04S6L032ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IAUC80N04S6L032ATMA1 Технические характеристики

номер части:IAUC80N04S6L032ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3.29mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 18µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1515 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):50W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AO4449 AO4449 MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC 813

Подробнее о заказе
APL502B2G APL502B2G MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX 864

Подробнее о заказе
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 5955

Подробнее о заказе
SUD35N10-26P-T4GE3 SUD35N10-26P-T4GE3 MOSFET N-CH 100V 35A TO252 922

Подробнее о заказе
NTMFS4839NHT1G NTMFS4839NHT1G MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN 736220

Подробнее о заказе
SISS32ADN-T1-GE3 SISS32ADN-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK 6953

Подробнее о заказе
PMV27UPEAR PMV27UPEAR MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB 982

Подробнее о заказе
IXTA460P2 IXTA460P2 MOSFET N-CH 500V 24A TO263 831

Подробнее о заказе
VN10KN3-G-P014 VN10KN3-G-P014 MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3 935

Подробнее о заказе
NTD4857NAT4G NTD4857NAT4G MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK 3362

Подробнее о заказе
STB45N60DM2AG STB45N60DM2AG MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK 2066

Подробнее о заказе
NTD4965NT4G NTD4965NT4G MOSFET N-CH 30V 13A/68A DPAK-3 3040

Подробнее о заказе
IRFBC40LCPBF-BE3 IRFBC40LCPBF-BE3 MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB 1922

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 15917 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.05000$1.05

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top