NTMS5835NLR2G | Rochester Electronics NTMS5835NLR2G | NTMS5835NLR2G Inventory, Best Pricing

NTMS5835NLR2G

Увеличить

Только для справки

номер части	NTMS5835NLR2G
LIXINC Part #	NTMS5835NLR2G
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NTMS5835NLR2G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NTMS5835NLR2G Технические характеристики

номер части:	NTMS5835NLR2G
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	9.2A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	50 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2.115 pF @ 20 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.5W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-SOIC
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.29000	$0.29

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015