IPD60R600C6ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD60R600C6ATMA1 | IPD60R600C6ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD60R600C6ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPD60R600C6ATMA1
LIXINC Part #	IPD60R600C6ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPD60R600C6ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPD60R600C6ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPD60R600C6ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ C6
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	7.3A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	20.5 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	63W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQU10N20TU	MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK	22744 Подробнее о заказе
TK16G60W,RVQ	MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK	909 Подробнее о заказе
NDD04N50ZT4G	MOSFET N-CH 500V 3A DPAK	148121 Подробнее о заказе
NDD60N360U1T4G	MOSFET N-CH 600V 11A DPAK	38547 Подробнее о заказе
STP2N95K5	MOSFET N-CH 950V 2A TO220	2804 Подробнее о заказе
APT8020LLLG	MOSFET N-CH 800V 38A TO264	833 Подробнее о заказе
SI2101-TP	MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323	10355 Подробнее о заказе
DMTH6004SPS-13	MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060	906 Подробнее о заказе
SIJ420DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8	1309 Подробнее о заказе
BSS119L6433	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	87555 Подробнее о заказе
DMN4035L-13	MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23	843 Подробнее о заказе
RD3P100SNTL1	MOSFET N-CH 100V 10A TO252	4346 Подробнее о заказе
IRFR13N20DPBF-IR	MOSFET N-CH 200V 13A DPAK	957 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015