TPH2R408QM,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPH2R408QM,L1Q

TPH2R408QM,L1Q

Увеличить

Только для справки

номер части	TPH2R408QM,L1Q
LIXINC Part #	TPH2R408QM,L1Q
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TPH2R408QM,L1Q След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TPH2R408QM,L1Q Технические характеристики

номер части:	TPH2R408QM,L1Q
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	U-MOSX-H
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	120A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.43mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	87 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	8300 pF @ 40 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3W (Ta), 210W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-SOP Advance (5x5)
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.91000	$1.91

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015