Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD35N10S3L26ATMA1

IPD35N10S3L26ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD35N10S3L26ATMA1
LIXINC Part # IPD35N10S3L26ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD35N10S3L26ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 22 - Jan 26 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD35N10S3L26ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD35N10S3L26ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:35A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:24mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.4V @ 39µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:39 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2700 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):71W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD35N10S3L26ATMA1 Документы

if IPD35N10S3L26ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AOD9N50 AOD9N50 MOSFET N-CH 500V 9A TO252 1092

Подробнее о заказе
SIHG25N60EFL-GE3 SIHG25N60EFL-GE3 MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC 1370

Подробнее о заказе
TK8A60W,S4VX TK8A60W,S4VX MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS 933

Подробнее о заказе
NVBG080N120SC1 NVBG080N120SC1 TRANS SJT N-CH 1200V 30A D2PAK-7 1610

Подробнее о заказе
APT6010LLLG APT6010LLLG MOSFET N-CH 600V 54A TO264 836

Подробнее о заказе
IRLL024NPBF IRLL024NPBF MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 822

Подробнее о заказе
IXTT50P10 IXTT50P10 MOSFET P-CH 100V 50A TO268 958

Подробнее о заказе
IRFM120A IRFM120A N-CHANNEL POWER MOSFET 943

Подробнее о заказе
IPA90R500C3XKSA1 IPA90R500C3XKSA1 MOSFET N-CH 900V 11A TO220-FP 916

Подробнее о заказе
IXTK110N20L2 IXTK110N20L2 MOSFET N-CH 200V 110A TO264 3942649

Подробнее о заказе
DMP1055USW-13 DMP1055USW-13 MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363 30953

Подробнее о заказе
FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK 3468

Подробнее о заказе
CSD17581Q5A CSD17581Q5A MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON 1477

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10813 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.28000$1.28
2500$0.49458$1236.45
5000$0.46984$2349.2
12500$0.45219$5652.375

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top