Только для справки
| номер части | FCPF650N80Z |
| LIXINC Part # | FCPF650N80Z |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FCPF650N80Z След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FCPF650N80Z |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | SuperFET® II |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 8A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 650mOhm @ 4A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4.5V @ 800µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 35 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.565 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 30.5W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220F |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 Full Pack |
| PMXB56ENZ | 30 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET | 824 Подробнее о заказе |
|
| PSMN085-150K,518-NEX | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | 805 Подробнее о заказе |
|
| TK65S04K3L(T6L1,NQ | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK | 802 Подробнее о заказе |
|
| AO6400 | MOSFET N-CH 30V 6.9A 6TSOP | 805 Подробнее о заказе |
|
| TQM025NB04CR RLG | MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU | 5945 Подробнее о заказе |
|
| 3N164 TO-72 4L | P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO | 1088 Подробнее о заказе |
|
| NTD5N50 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 7986 Подробнее о заказе |
|
| IRFP340 | MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3 | 2692 Подробнее о заказе |
|
| AON7409 | MOSFET P-CH 30V 16A/32A 8DFN | 842 Подробнее о заказе |
|
| PMV280ENEA215 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 15832 Подробнее о заказе |
|
| STQ1HN60K3-AP | MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3 | 815 Подробнее о заказе |
|
| FDS2170N3 | MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC | 3446 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS4936NCT1G | 11.6A, 30V, 0.0048OHM, N-CHANNE | 15924 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11672 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.91000 | $0.91 |
| 1000 | $0.91000 | $910 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.