STLD200N4F6AG | STMicroelectronics STLD200N4F6AG | STLD200N4F6AG Inventory, Best Pricing

STLD200N4F6AG

Увеличить

Только для справки

номер части	STLD200N4F6AG
LIXINC Part #	STLD200N4F6AG
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	STLD200N4F6AG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

STLD200N4F6AG Технические характеристики

номер части:	STLD200N4F6AG
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	120A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	172 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	10700 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	158W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerFlat™ (5x6) Dual Side
упаковка / чехол:	8-PowerWDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015