SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIA413DJ-T1-GE3 | SIA413DJ-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIA413DJ-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIA413DJ-T1-GE3
LIXINC Part #	SIA413DJ-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIA413DJ-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	May 18 - May 22 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIA413DJ-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIA413DJ-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	12 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	12A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	29mOhm @ 6.7A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	57 nC @ 8 V
ВГС (макс.):	±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1800 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® SC-70-6 Single
упаковка / чехол:	PowerPAK® SC-70-6

SIHP22N60E-E3	MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB	867 Подробнее о заказе
TK39A60W,S4VX	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS	865 Подробнее о заказе
MMBF170Q-7-F	MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3	3951 Подробнее о заказе
IPI072N10N3G	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	11969 Подробнее о заказе
TK30S06K3L(T6L1,NQ	MOSFET N-CH 60V 30A DPAK	940 Подробнее о заказе
SSM6J801R,LF	MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP	1898 Подробнее о заказе
HUF76432P3	MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3	904 Подробнее о заказе
IXFH30N50P	MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD	926 Подробнее о заказе
SQD25N06-22L_GE3	MOSFET N-CH 60V 25A TO252	3081 Подробнее о заказе
IPA60R160P7XKSA1	MOSFET N-CH 600V 20A TO220	2350 Подробнее о заказе
IXTT36N50P	MOSFET N-CH 500V 36A TO268	923 Подробнее о заказе
SI8499DB-T2-E1	MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT	24339 Подробнее о заказе
IRFB7430GPBF	MOSFET N CH 40V 195A TO220AB	885 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015