Только для справки
| номер части | IRF540NLPBF |
| LIXINC Part # | IRF540NLPBF |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 33A TO262 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IRF540NLPBF След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 22 - Jan 26 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IRF540NLPBF |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | HEXFET® |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Not For New Designs |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 33A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 44mOhm @ 16A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 71 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1960 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 130W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-262 |
| упаковка / чехол: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| FCD2250N80Z | MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK | 909 Подробнее о заказе |
|
| BUK9612-55B,118 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 4116 Подробнее о заказе |
|
| APT10M19SVRG | MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK | 843 Подробнее о заказе |
|
| FDD86569-F085 | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK | 1458 Подробнее о заказе |
|
| IPA65R065C7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP | 28382 Подробнее о заказе |
|
| SIA416DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK | 3315 Подробнее о заказе |
|
| IPI60R099CPAAKSA1 | PFET, 31A I(D), 600V, 0.105OHM, | 18105 Подробнее о заказе |
|
| MIC94052BC6TR | P-CHANNEL POWER MOSFET | 978 Подробнее о заказе |
|
| ATP207-TL-H | MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK | 3373 Подробнее о заказе |
|
| STD90N03L | MOSFET N-CH 30V 80A DPAK | 960 Подробнее о заказе |
|
| IXFT16N80P | MOSFET N-CH 800V 16A TO268 | 923 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS4C05NT3G | MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN | 5928 Подробнее о заказе |
|
| AON2290 | MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B | 12693 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12450 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.56000 | $1.56 |
| 10 | $1.38225 | $13.8225 |
| 100 | $1.09257 | $109.257 |
| 500 | $0.84732 | $423.66 |
| 1000 | $0.66893 | $668.93 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.