SPA11N65C3XKSA1 | IR (Infineon Technologies) SPA11N65C3XKSA1 | SPA11N65C3XKSA1 Inventory, Best Pricing

SPA11N65C3XKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	SPA11N65C3XKSA1
LIXINC Part #	SPA11N65C3XKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SPA11N65C3XKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SPA11N65C3XKSA1 Технические характеристики

номер части:	SPA11N65C3XKSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™
упаковка:	Tube
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	11A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.9V @ 500µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	60 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1200 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	33W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO220-FP
упаковка / чехол:	TO-220-3 Full Pack

AO6415	MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP	2970 Подробнее о заказе
SIRA90ADP-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 71A/334A PPAK	3674 Подробнее о заказе
SPP08P06PHXKSA1	8.8A, 60V, 0.3OHM, P-CHANNEL, M	994 Подробнее о заказе
AUIRF3805	MOSFET N-CH 55V 160A TO220	1806 Подробнее о заказе
NXV90EPR	NXV90EP/SOT23/TO-236AB	895 Подробнее о заказе
TSM320N03CX RFG	MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23	6789 Подробнее о заказе
CSD25401Q3	MOSFET P-CH 20V 14A/60A 8VSON	38929 Подробнее о заказе
IPP040N06N3G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9	1528 Подробнее о заказе
STFI10NK60Z	MOSFET N-CH 600V 10A I2PAKFP	814 Подробнее о заказе
IRFP4332PBF	MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC	1665 Подробнее о заказе
SIHG105N60EF-GE3	MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC	1266 Подробнее о заказе
DMN2024UFDF-7	MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN	12805 Подробнее о заказе
IXTT4N150HV	MOSFET N-CH 1500V 4A TO268	2038 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$3.38000	$3.38
500	$2.42713	$1213.565

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015