RD3H080SPFRATL | ROHM Semiconductor RD3H080SPFRATL | RD3H080SPFRATL Inventory, Best Pricing

RD3H080SPFRATL

Увеличить

Только для справки

номер части	RD3H080SPFRATL
LIXINC Part #	RD3H080SPFRATL
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RD3H080SPFRATL След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RD3H080SPFRATL Технические характеристики

номер части:	RD3H080SPFRATL
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	45 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	8A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	91mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	9 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1000 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	15W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-252
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.44000	$1.44
2500	$0.57821	$1445.525

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015