Только для справки
| номер части | BSO051N03MS G |
| LIXINC Part # | BSO051N03MS G |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | BSO051N03MS G След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | BSO051N03MS G |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | OptiMOS™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 14A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 5.1mOhm @ 18A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 55 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4300 pF @ 15 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 1.56W (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-DSO-8 |
| упаковка / чехол: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| IPP120N06S402AKSA1 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | 24172 Подробнее о заказе |
|
| APTM120DA30CT1G | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 | 993 Подробнее о заказе |
|
| STP40NF03L | MOSFET N-CH 30V 40A TO220AB | 3619 Подробнее о заказе |
|
| STD95N2LH5 | MOSFET N-CH 25V 80A DPAK | 5570 Подробнее о заказе |
|
| IPB65R110CFDATMA1 | MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK | 1898 Подробнее о заказе |
|
| STP13N60M2 | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | 1911 Подробнее о заказе |
|
| STP12N120K5 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO220 | 1152 Подробнее о заказе |
|
| IRFP260NPBF | MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC | 2162 Подробнее о заказе |
|
| SIHD6N65ET1-GE3 | MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA | 862 Подробнее о заказе |
|
| MMFT1N10ET3 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 4996 Подробнее о заказе |
|
| TK14A65W,S5X | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS | 852 Подробнее о заказе |
|
| IXFK360N10T | MOSFET N-CH 100V 360A TO264AA | 223766 Подробнее о заказе |
|
| IRFH4210DTRPBF | HEXFET POWER MOSFET | 3797 Подробнее о заказе |
| В наличии | 13290 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.65000 | $0.65 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.