Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC252N10NSFGATMA1

BSC252N10NSFGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC252N10NSFGATMA1
LIXINC Part # BSC252N10NSFGATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC252N10NSFGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC252N10NSFGATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC252N10NSFGATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:7.2A (Ta), 40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:25.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 43µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1100 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):78W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC252N10NSFGATMA1 Документы

if BSC252N10NSFGATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SI7455DP-T1-GE3 SI7455DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 979

Подробнее о заказе
RHK005N03T146 RHK005N03T146 MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 2141

Подробнее о заказе
STP24N60DM2 STP24N60DM2 MOSFET N-CH 600V 18A TO220 1922

Подробнее о заказе
BSZ0602LSATMA1 BSZ0602LSATMA1 MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON 10800

Подробнее о заказе
DMN10H100SK3-13 DMN10H100SK3-13 MOSFET N-CH 100V 18A TO252 445138312

Подробнее о заказе
TN0104N8-G TN0104N8-G MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA 7556

Подробнее о заказе
FQT13N06LTF FQT13N06LTF MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4 7877

Подробнее о заказе
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 3699

Подробнее о заказе
SQM40020E_GE3 SQM40020E_GE3 MOSFET N-CH 40V 100A TO263 1688

Подробнее о заказе
RZL035P01TR RZL035P01TR MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6 3329

Подробнее о заказе
R6076MNZ1C9 R6076MNZ1C9 MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247 1368

Подробнее о заказе
FQD6N60CTF FQD6N60CTF N-CHANNEL POWER MOSFET 999

Подробнее о заказе
CSD17575Q3 CSD17575Q3 MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON 41005

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10443 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.20000$1.2
5000$0.56800$2840
10000$0.54910$5491

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top