RMD1N25ES9 | Rectron USA RMD1N25ES9 | RMD1N25ES9 Inventory, Best Pricing

RMD1N25ES9

Увеличить

Только для справки

номер части	RMD1N25ES9
LIXINC Part #	RMD1N25ES9
Производитель	Rectron USA
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CHANNEL 25V 1.1A SOT363
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RMD1N25ES9 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RMD1N25ES9 Технические характеристики

номер части:	RMD1N25ES9
Бренд:	Rectron USA
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rectron USA
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.1A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	30 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	800mW (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	SOT-363
упаковка / чехол:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.06000	$0.06

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015