Только для справки
| номер части | FDB0260N1007L |
| LIXINC Part # | FDB0260N1007L |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDB0260N1007L След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDB0260N1007L |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 200A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 2.6mOhm @ 27A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 118 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 8.545 pF @ 50 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-263-7 |
| упаковка / чехол: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| FDBL9406-F085 | MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF | 1464 Подробнее о заказе |
|
| SI3948DV | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 6947 Подробнее о заказе |
|
| R6008ANX | MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM | 2085 Подробнее о заказе |
|
| NTD20N06LG | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | 886 Подробнее о заказе |
|
| AUIRFR48ZTRL | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 990 Подробнее о заказе |
|
| ISC011N03L5SATMA1 | MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON | 5654 Подробнее о заказе |
|
| AUIRFR5410-IR | AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL | 4030 Подробнее о заказе |
|
| TK4A50D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 500V 4A TO220SIS | 947 Подробнее о заказе |
|
| DMN3016LFDE-13 | MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN | 7244 Подробнее о заказе |
|
| RJK0355DSP-00#J0 | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP | 877 Подробнее о заказе |
|
| IRF9640LPBF | MOSFET P-CH 200V 11A I2PAK | 939 Подробнее о заказе |
|
| PSMN6R0-30YL,115 | MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK56 | 857 Подробнее о заказе |
|
| IPS80R2K4P7AKMA1 | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3 | 11325 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12146 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.66000 | $3.66 |
| 800 | $3.66000 | $2928 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.