SCTW35N65G2VAG

SCTW35N65G2VAG
Увеличить

Только для справки

номер части SCTW35N65G2VAG
LIXINC Part # SCTW35N65G2VAG
Производитель STMicroelectronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SCTW35N65G2VAG След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SCTW35N65G2VAG Технические характеристики

номер части:SCTW35N65G2VAG
Бренд:STMicroelectronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:STMicroelectronics
ряд:Automotive, AEC-Q101
упаковка:Tube
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:45A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):18V, 20V
rds on (max) @ id, vgs:67mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (макс.) @ id:5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:73 nC @ 20 V
ВГС (макс.):+22V, -10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1370 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):240W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 200°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:HiP247™
упаковка / чехол:TO-247-3

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDS6688AS FDS6688AS MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC 12809

Подробнее о заказе

SI7703EDN-T1-E3 SI7703EDN-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 4.3A PPAK1212-8 804

Подробнее о заказе

FDZ293P FDZ293P MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA 51541

Подробнее о заказе

AUIRFR8401 AUIRFR8401 MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 843

Подробнее о заказе

DMN2230U-7 DMN2230U-7 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3 6436

Подробнее о заказе

SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 6850

Подробнее о заказе

RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA 1965

Подробнее о заказе

IPP041N04NG IPP041N04NG POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 1150

Подробнее о заказе

DMP3036SFG-13 DMP3036SFG-13 MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8 9823

Подробнее о заказе

MMDF1300R2 MMDF1300R2 P-CHANNEL POWER MOSFET 74456

Подробнее о заказе

TSM033NB04LCR RLG TSM033NB04LCR RLG MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN 5703

Подробнее о заказе

NTMFS5C404NLTT1G NTMFS5C404NLTT1G MOSFET N-CH 40V 52A/370A 5DFN 883

Подробнее о заказе

SI7414DN-T1-GE3 SI7414DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8 1578

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11482 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$14.67000$14.67

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top