Только для справки
| номер части | TSM60NB190CM2 RNG |
| LIXINC Part # | TSM60NB190CM2 RNG |
| Производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 18A TO263 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TSM60NB190CM2 RNG След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TSM60NB190CM2 RNG |
| Бренд: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 18A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 190mOhm @ 6A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 31 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1273 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 150.6W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-263 (D²Pak) |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RDR005N25TL | MOSFET N-CH 250V 500MA TSMT3 | 9312 Подробнее о заказе |
|
| IRLU2905ZPBF | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 | 944 Подробнее о заказе |
|
| STP3LN80K5 | MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220 | 3191 Подробнее о заказе |
|
| FQD11P06TM | MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK | 802 Подробнее о заказе |
|
| AOT095A60L | MOSFET N-CH 600V 38A TO220 | 1803 Подробнее о заказе |
|
| IPI80N06S3L-05 | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | 1303 Подробнее о заказе |
|
| IPW90R800C3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 16950 Подробнее о заказе |
|
| AON6264E | MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN | 912 Подробнее о заказе |
|
| NVD2955T4G | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | 801 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C456NLWFAFT3G | MOSFET N-CH 40V 22A/87A 5DFN | 855 Подробнее о заказе |
|
| RS1G180MNTB | MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP | 3394 Подробнее о заказе |
|
| NDTL01N60ZT1G | MOSFET N-CH 600V 250MA SOT223 | 6939 Подробнее о заказе |
|
| FDS8670 | MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC | 26410 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11537 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.82000 | $3.82 |
| 800 | $1.49010 | $1192.08 |
| 1600 | $1.36749 | $2187.984 |
| 2400 | $1.32034 | $3168.816 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.