IPB081N06L3GATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB081N06L3GATMA1 | IPB081N06L3GATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB081N06L3GATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB081N06L3GATMA1
LIXINC Part #	IPB081N06L3GATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB081N06L3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB081N06L3GATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB081N06L3GATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	8.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 34µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4900 pF @ 30 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	79W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015