CSD19538Q3AT | Texas Instruments CSD19538Q3AT | CSD19538Q3AT Inventory, Best Pricing

CSD19538Q3AT

Увеличить

Только для справки

номер части	CSD19538Q3AT
LIXINC Part #	CSD19538Q3AT
Производитель	Texas Instruments
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CSD19538Q3AT След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CSD19538Q3AT Технические характеристики

номер части:	CSD19538Q3AT
Бренд:	Texas Instruments
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Texas Instruments
ряд:	NexFET™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	15A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	59mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.8V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	4.3 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	454 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.8W (Ta), 23W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-VSONP (3x3.15)
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015