Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPP65R045C7XKSA1

IPP65R045C7XKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPP65R045C7XKSA1
LIXINC Part # IPP65R045C7XKSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPP65R045C7XKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPP65R045C7XKSA1 Технические характеристики

номер части:IPP65R045C7XKSA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ C7
упаковка:Tube
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:46A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:45mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 1.25mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:93 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4340 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):227W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO220-3
упаковка / чехол:TO-220-3

IPP65R045C7XKSA1 Документы

if IPP65R045C7XKSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRLU024NPBF IRLU024NPBF MOSFET N-CH 55V 17A IPAK 1234

Подробнее о заказе
MTP9N25E MTP9N25E N-CHANNEL POWER MOSFET 5276

Подробнее о заказе
HUF75945G3 HUF75945G3 N-CHANNEL POWER MOSFET 3823

Подробнее о заказе
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 941

Подробнее о заказе
TSM80N950CI C0G TSM80N950CI C0G MOSFET N-CH 800V 6A ITO220AB 1414

Подробнее о заказе
FDMC6679AZ FDMC6679AZ MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP 876

Подробнее о заказе
IPP12CN10LG IPP12CN10LG POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 2192

Подробнее о заказе
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3 3094

Подробнее о заказе
STP4N52K3 STP4N52K3 MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220 5331

Подробнее о заказе
PSMN6R0-25YLB,115 PSMN6R0-25YLB,115 MOSFET N-CH 25V 73A LFPAK56 2836

Подробнее о заказе
APT66M60B2 APT66M60B2 MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX 811

Подробнее о заказе
FKI07117 FKI07117 MOSFET N-CH 75V 42A TO220F 962

Подробнее о заказе
SD213DE TO-72 4L SD213DE TO-72 4L HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO 1805

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10818 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$12.16000$12.16
10$11.05647$110.5647
100$9.39771$939.771
500$8.01566$4007.83
1000$7.35229$7352.29

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top