BSZ011NE2LS5IATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ011NE2LS5IATMA1 | BSZ011NE2LS5IATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ011NE2LS5IATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSZ011NE2LS5IATMA1
LIXINC Part #	BSZ011NE2LS5IATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSZ011NE2LS5IATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSZ011NE2LS5IATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSZ011NE2LS5IATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™ 5
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	35A (Ta), 40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	50 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3400 pF @ 12 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TSDSON-8-FL
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

IRLS3036-7PPBF	IRLS3036 - HEXFET POWER MOSFET	892 Подробнее о заказе
IPW60R120P7XKSA1	MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3	1118 Подробнее о заказе
IPA057N06N3GXKSA1	MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31	1183 Подробнее о заказе
NTD60N02R-1G	MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK	335934 Подробнее о заказе
TK12A53D(STA4,Q,M)	MOSFET N-CH 525V 12A TO220SIS	889 Подробнее о заказе
IRFR3505PBF	MOSFET N-CH 55V 30A DPAK	1880 Подробнее о заказе
CSD18532NQ5BT	MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON	1474 Подробнее о заказе
TK25A60X5,S5X	MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS	1072 Подробнее о заказе
NTD20N03L27T4	MOSFET N-CH 30V 20A DPAK	2802 Подробнее о заказе
FQU8P10TU	MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK	126221079 Подробнее о заказе
FDMS3624S	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	4100 Подробнее о заказе
SQ2364EES-T1_GE3	MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3	1236 Подробнее о заказе
IXFX360N15T2	MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247-3	952 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.23970	$1.2397

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015