Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC024NE2LSATMA1

BSC024NE2LSATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC024NE2LSATMA1
LIXINC Part # BSC024NE2LSATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 25V 25A/100A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC024NE2LSATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC024NE2LSATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC024NE2LSATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:25A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:2.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1700 pF @ 12 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 48W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-5
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC024NE2LSATMA1 Документы

if BSC024NE2LSATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STW34NM60N STW34NM60N MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3 2469

Подробнее о заказе
FDS6680S FDS6680S MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC 61586

Подробнее о заказе
NTA4151PT1 NTA4151PT1 MOSFET P-CH 20V 760MA SC75 835

Подробнее о заказе
STW52NK25Z STW52NK25Z MOSFET N-CH 250V 52A TO247-3 2090

Подробнее о заказе
IPT210N25NFDATMA1 IPT210N25NFDATMA1 MV POWER MOS 939

Подробнее о заказе
FQD6N60CTM FQD6N60CTM MOSFET N-CH 600V 4A DPAK 2238

Подробнее о заказе
FDMA510PZ FDMA510PZ MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 3922

Подробнее о заказе
VS-FC270SA20 VS-FC270SA20 MOSFET N-CH 200V 287A SOT227 1222

Подробнее о заказе
FQI32N20CTU FQI32N20CTU MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK 2816

Подробнее о заказе
MCH3427-TL-E MCH3427-TL-E MOSFET N-CH 20V 4A 3MCPH 54925

Подробнее о заказе
SIHB15N50E-GE3 SIHB15N50E-GE3 MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK 1865

Подробнее о заказе
SI7110DN-T1-GE3 SI7110DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 3888

Подробнее о заказе
IPW90R340C3FKSA1 IPW90R340C3FKSA1 MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3 1029

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 18753 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.00000$1
5000$0.41909$2095.45
10000$0.40333$4033.3
25000$0.40104$10026

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top