IRFHM8334TRPBF-INF | Rochester Electronics IRFHM8334TRPBF-INF | IRFHM8334TRPBF-INF Inventory, Best Pricing

IRFHM8334TRPBF-INF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRFHM8334TRPBF-INF
LIXINC Part #	IRFHM8334TRPBF-INF
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 13A/43A 8PQFN DL
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRFHM8334TRPBF-INF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRFHM8334TRPBF-INF Технические характеристики

номер части:	IRFHM8334TRPBF-INF
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	13A (Ta), 43A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.35V @ 25µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1180 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.7W (Ta), 28W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.17000	$0.17

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015