Только для справки
| номер части | IPB65R065C7ATMA2 |
| LIXINC Part # | IPB65R065C7ATMA2 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPB65R065C7ATMA2 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPB65R065C7ATMA2 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ C7 |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 33A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 65mOhm @ 17.1A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4.5V @ 200µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 64 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3020 pF @ 400 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 171W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3 |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| FJ4B01110L1 | MOSFET P-CH 12V 1.4A ALGA004 | 2700 Подробнее о заказе |
|
| CPH6443-TL-W | MOSFET N-CH 35V 6A 6CPH | 3539 Подробнее о заказе |
|
| RRF015P03GTL | MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 | 3975 Подробнее о заказе |
|
| CSD23203WT | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA | 1352610849 Подробнее о заказе |
|
| BUK9507-30B,127 | PFET, 75A I(D), 30V, 0.009OHM, 1 | 12931 Подробнее о заказе |
|
| IRLIZ34GPBF | MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3 | 2010 Подробнее о заказе |
|
| ZXMN6A11ZTA | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3 | 2012012965 Подробнее о заказе |
|
| NTGS3446T1G | MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP | 2147484456 Подробнее о заказе |
|
| FDP5500 | N CHANNEL ULTRAFET 55V, 80A, 7M | 3036 Подробнее о заказе |
|
| IRFR210BTF | N-CHANNEL POWER MOSFET | 226983 Подробнее о заказе |
|
| SIHB8N50D-GE3 | MOSFET N-CH 500V 8.7A TO263 | 878 Подробнее о заказе |
|
| IPD042P03L3GATMA1 | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | 15098 Подробнее о заказе |
|
| SUP90N06-6M0P-E3 | MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB | 976 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12299 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $8.12000 | $8.12 |
| 1000 | $4.78350 | $4783.5 |
| 2000 | $4.60633 | $9212.66 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.