Только для справки
| номер части | TK60F10N1L,LXGQ |
| LIXINC Part # | TK60F10N1L,LXGQ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TK60F10N1L,LXGQ След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TK60F10N1L,LXGQ |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSVIII-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 60A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 6.11mOhm @ 30A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 500µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 60 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4320 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 205W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 175°C |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-220SM(W) |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| IRF840LPBF | MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB | 810 Подробнее о заказе |
|
| DMN10H220L-7 | MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23 | 219982 Подробнее о заказе |
|
| IPP070N08N3GXKSA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 8648 Подробнее о заказе |
|
| IPI120N04S402AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3 | 1925 Подробнее о заказе |
|
| FDMS8027S | MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN | 1772 Подробнее о заказе |
|
| BUK9M6R7-40HX | MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33 | 6727 Подробнее о заказе |
|
| BSS119NH6433XTMA1 | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 | 845 Подробнее о заказе |
|
| IRFS4410PBF | MOSFET N-CH 100V 88A TO263-3-2 | 875 Подробнее о заказе |
|
| IRF840SPBF | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK | 1320 Подробнее о заказе |
|
| FDN86265P | MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3 | 910 Подробнее о заказе |
|
| SIHP16N50C-BE3 | MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB | 1814 Подробнее о заказе |
|
| NTB75N03RT4 | MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK | 90486 Подробнее о заказе |
|
| IXTT52N30P | MOSFET N-CH 300V 52A TO268 | 4777 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12907 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.43000 | $2.43 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.