IPI47N10S33AKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPI47N10S33AKSA1 | IPI47N10S33AKSA1 Inventory, Best Pricing

IPI47N10S33AKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPI47N10S33AKSA1
LIXINC Part #	IPI47N10S33AKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPI47N10S33AKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPI47N10S33AKSA1 Технические характеристики

номер части:	IPI47N10S33AKSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	SIPMOS®
упаковка:	Tube
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	47A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	33mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 2mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	105 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2500 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	175W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO262-3
упаковка / чехол:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.59612	$1.59612
500	$1.39551	$697.755

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015