IPB100N04S4H2ATMA1

IPB100N04S4H2ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB100N04S4H2ATMA1
LIXINC Part # IPB100N04S4H2ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB100N04S4H2ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB100N04S4H2ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB100N04S4H2ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 70µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:90 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:7180 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):115W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BUK9Y3R5-40E,115 BUK9Y3R5-40E,115 MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 861

Подробнее о заказе

DMP6350S-7 DMP6350S-7 MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23 819

Подробнее о заказе

AUIRF7799L2TR AUIRF7799L2TR MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET 808

Подробнее о заказе

BSC0403NSATMA1 BSC0403NSATMA1 150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, 5919

Подробнее о заказе

SQ3427EV-T1_GE3 SQ3427EV-T1_GE3 MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP 949

Подробнее о заказе

PMG45UN,115 PMG45UN,115 MOSFET N-CH 20V 3A 6TSSOP 9963

Подробнее о заказе

IPD80R450P7ATMA1 IPD80R450P7ATMA1 MOSFET N-CH 800V 11A TO252 6771

Подробнее о заказе

STU2LN60K3 STU2LN60K3 MOSFET N CH 600V 2A IPAK 927

Подробнее о заказе

NTMFS4849NT1G NTMFS4849NT1G MOSFET N-CH 30V 10.2A/71A 5DFN 68451

Подробнее о заказе

IRFR9120TRLPBF IRFR9120TRLPBF MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK 1819

Подробнее о заказе

SFT1450-H SFT1450-H MOSFET N-CH 40V 21A TP 19362

Подробнее о заказе

TK7P50D(T6RSS-Q) TK7P50D(T6RSS-Q) MOSFET N-CH 500V 7A DPAK 855

Подробнее о заказе

SSM3K56MFV,L3F SSM3K56MFV,L3F MOSFET N-CH 20V 800MA VESM 36742

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 14249 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.76000$1.76
1000$0.88394$883.94
2000$0.82298$1645.96
5000$0.79249$3962.45
10000$0.77587$7758.7

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top