BSR316PH6327XTSA1

BSR316PH6327XTSA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSR316PH6327XTSA1
LIXINC Part # BSR316PH6327XTSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSR316PH6327XTSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSR316PH6327XTSA1 Технические характеристики

номер части:BSR316PH6327XTSA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:SIPMOS®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:360mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.8Ohm @ 360mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:1V @ 170µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:165 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):500mW (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-SC-59
упаковка / чехол:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STB155N3LH6 STB155N3LH6 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 888

Подробнее о заказе

UPA2794AGR-E1-AT UPA2794AGR-E1-AT N-CHANNEL POWER MOSFET 3200

Подробнее о заказе

SQ2310ES-T1_BE3 SQ2310ES-T1_BE3 MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3 3948

Подробнее о заказе

IXFK66N85X IXFK66N85X MOSFET N-CH 850V 66A TO264 941

Подробнее о заказе

IXTA10N60P IXTA10N60P MOSFET N-CH 600V 10A TO263 801

Подробнее о заказе

IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252 900

Подробнее о заказе

IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 MOSFET N-CH 650V 10A TO252-3 3311

Подробнее о заказе

SIHF9630STRL-GE3 SIHF9630STRL-GE3 MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK 923

Подробнее о заказе

TSM2303CX RFG TSM2303CX RFG MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23 3440

Подробнее о заказе

SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8 6490

Подробнее о заказе

NVMFS4C302NWFT1G NVMFS4C302NWFT1G MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN 803

Подробнее о заказе

IPP65R380E6XKSA1 IPP65R380E6XKSA1 MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3 2874

Подробнее о заказе

IRFUC20PBF IRFUC20PBF MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA 3890

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13378 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.56000$0.56
3000$0.20579$617.37
6000$0.19251$1155.06
15000$0.17924$2688.6
30000$0.16994$5098.2

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top