SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SIR662DP-T1-GE3
LIXINC Part # SIR662DP-T1-GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SIR662DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIR662DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:SIR662DP-T1-GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:TrenchFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:60A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:2.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:96 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4365 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:PowerPAK® SO-8

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDMC8678S FDMC8678S MOSFET N-CH 30V 15A/18A POWER33 343640

Подробнее о заказе

IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 997

Подробнее о заказе

AUIRF1405ZS-7TRL AUIRF1405ZS-7TRL MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK 2634

Подробнее о заказе

ZXMN2F30FHTA ZXMN2F30FHTA MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 87924

Подробнее о заказе

FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN 5315

Подробнее о заказе

BUK7607-55B,118 BUK7607-55B,118 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 1527

Подробнее о заказе

FDS6676 FDS6676 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 14700

Подробнее о заказе

IRLZ34PBF IRLZ34PBF MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB 1967

Подробнее о заказе

SIHP10N40D-GE3 SIHP10N40D-GE3 MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB 1750

Подробнее о заказе

APT20M34SLLG/TR APT20M34SLLG/TR MOSFET N-CH 200V 74A D3PAK 859

Подробнее о заказе

IRLHS2242TRPBF IRLHS2242TRPBF MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN 7965

Подробнее о заказе

DMS3012SFG-13 DMS3012SFG-13 MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333 951

Подробнее о заказе

PMCM4401UPE084 PMCM4401UPE084 P-CHANNEL MOSFET 808

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12732 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.10000$2.1
3000$1.06250$3187.5
6000$1.02563$6153.78

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top