IPB80P03P4L04ATMA2

IPB80P03P4L04ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPB80P03P4L04ATMA2
LIXINC Part # IPB80P03P4L04ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB80P03P4L04ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80P03P4L04ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPB80P03P4L04ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):-
rds on (max) @ id, vgs:4.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 253µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:160 nC @ 10 V
ВГС (макс.):+5V, -16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:11300 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):137W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NTD4302G NTD4302G MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK 44528

Подробнее о заказе

RCX510N25 RCX510N25 MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM 1816

Подробнее о заказе

BUK7Y72-80EX BUK7Y72-80EX MOSFET N-CH 80V 16A LFPAK56 969

Подробнее о заказе

NMSD200B01-7 NMSD200B01-7 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363 4565

Подробнее о заказе

FQPF10N50CF FQPF10N50CF MOSFET N-CH 500V 10A TO220F 7982926

Подробнее о заказе

FQPF9P25 FQPF9P25 MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3 1696

Подробнее о заказе

AOT2606L AOT2606L MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO220 905

Подробнее о заказе

IPAN80R360P7XKSA1 IPAN80R360P7XKSA1 MOSFET N-CH 800V 13A TO220 1130

Подробнее о заказе

IRLZ34NSPBF IRLZ34NSPBF MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK 3260

Подробнее о заказе

DMP2006UFG-7 DMP2006UFG-7 MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI 821

Подробнее о заказе

SIR188DP-T1-RE3 SIR188DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK 3697

Подробнее о заказе

2SK3109-AZ 2SK3109-AZ N-CHANNEL POWER MOSFET 5786

Подробнее о заказе

IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31 5212

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13834 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.46000$2.46

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top