SIR622DP-T1-RE3

SIR622DP-T1-RE3
Увеличить

Только для справки

номер части SIR622DP-T1-RE3
LIXINC Part # SIR622DP-T1-RE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SIR622DP-T1-RE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIR622DP-T1-RE3 Технические характеристики

номер части:SIR622DP-T1-RE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:ThunderFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):150 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:12.6A (Ta), 51.6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):7.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:17.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1516 pF @ 75 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:PowerPAK® SO-8

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRFL4105PBF IRFL4105PBF MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 807

Подробнее о заказе

SIHA22N60E-E3 SIHA22N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 21A TO220 1787

Подробнее о заказе

PSMN0R9-30ULDX PSMN0R9-30ULDX MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56 894

Подробнее о заказе

FDD120AN15A0-F085 FDD120AN15A0-F085 MOSFET N-CH 150V 14A DPAK 11938384

Подробнее о заказе

STH2N120K5-2AG STH2N120K5-2AG MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2 957

Подробнее о заказе

IXTY2N100P IXTY2N100P MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 2065

Подробнее о заказе

STU16N60M2 STU16N60M2 MOSFET N-CH 600V 12A IPAK 861

Подробнее о заказе

IPA90R500C3XKSA2 IPA90R500C3XKSA2 MOSFET N-CH 900V 11A TO220 850

Подробнее о заказе

IXFL210N30P3 IXFL210N30P3 MOSFET N-CH 300V 108A ISOPLUS264 1395

Подробнее о заказе

PMN20EN,115 PMN20EN,115 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 20910

Подробнее о заказе

IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK 7436

Подробнее о заказе

TSM2306CX RFG TSM2306CX RFG MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23 47906

Подробнее о заказе

SIHG17N80AEF-GE3 SIHG17N80AEF-GE3 E SERIES POWER MOSFET WITH FAST 812

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 15962 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.63000$1.63
3000$0.76620$2298.6
6000$0.73023$4381.38
15000$0.70453$10567.95

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top