Только для справки
| номер части | IPA80R1K4P7XKSA1 |
| LIXINC Part # | IPA80R1K4P7XKSA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPA80R1K4P7XKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPA80R1K4P7XKSA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 4A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.4Ohm @ 1.4A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 700µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 10 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 250 pF @ 500 V |
| Фет-функция: | Super Junction |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 24W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220-3F |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 Full Pack |
| SCT3030KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 72A TO247N | 1587 Подробнее о заказе |
|
| TSM120N06LCP ROG | MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252 | 897 Подробнее о заказе |
|
| APT34M120J | MOSFET N-CH 1200V 35A SOT227 | 870 Подробнее о заказе |
|
| ZVN2110ASTZ | MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE | 3633 Подробнее о заказе |
|
| IRF610STRRPBF | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | 962 Подробнее о заказе |
|
| IPB080N03LGATMA1 | PFET, 48A I(D), 30V, 0.0119OHM, | 17199 Подробнее о заказе |
|
| CPC5602CTR | MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223 | 4150 Подробнее о заказе |
|
| NTR4101PT1H | MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3 | 4754 Подробнее о заказе |
|
| STD4N52K3 | MOSFET N-CH 525V 2.5A DPAK | 912 Подробнее о заказе |
|
| PHD71NQ03LT,118 | TRANSISTOR >30MHZ | 3982 Подробнее о заказе |
|
| SIB452DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75 | 1301 Подробнее о заказе |
|
| STP30NF10 | MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB | 2330 Подробнее о заказе |
|
| DMT34M2LPS-13 | MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506 | 831 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10853 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.37000 | $1.37 |
| 10 | $1.22038 | $12.2038 |
| 100 | $0.97801 | $97.801 |
| 500 | $0.77288 | $386.44 |
| 1000 | $0.62373 | $623.73 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.