Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB60R090CFD7ATMA1

IPB60R090CFD7ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB60R090CFD7ATMA1
LIXINC Part # IPB60R090CFD7ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 650V 25A TO263-3-2
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB60R090CFD7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB60R090CFD7ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB60R090CFD7ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ CFD7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:25A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:90mOhm @ 11.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4.5V @ 570µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:51 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2103 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):124W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK 2089

Подробнее о заказе
APT26F120B2 APT26F120B2 MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX 812

Подробнее о заказе
IPP034N03LG IPP034N03LG N-CHANNEL POWER MOSFET 2230

Подробнее о заказе
BSB008NE2LXXUMA1 BSB008NE2LXXUMA1 MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON 5928

Подробнее о заказе
SQJ488EP-T2_BE3 SQJ488EP-T2_BE3 MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8 3843

Подробнее о заказе
XP151A12A2MR XP151A12A2MR MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 973

Подробнее о заказе
RSD080P05TL RSD080P05TL MOSFET P-CH 45V 8A CPT3 888

Подробнее о заказе
APT10045JLL APT10045JLL MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP 912

Подробнее о заказе
STD12N60DM6 STD12N60DM6 MOSFET N-CH 600V 10A DPAK 1011

Подробнее о заказе
DMN3115UDM-7 DMN3115UDM-7 MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26 7289987

Подробнее о заказе
SIHW33N60E-GE3 SIHW33N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD 1320

Подробнее о заказе
IXTP20N65X2 IXTP20N65X2 MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB 63193

Подробнее о заказе
AUIRF4104STRL AUIRF4104STRL MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 2010

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10965 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$5.64000$5.64

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top