IPN70R2K0P7SATMA1

IPN70R2K0P7SATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPN70R2K0P7SATMA1
LIXINC Part # IPN70R2K0P7SATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPN70R2K0P7SATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPN70R2K0P7SATMA1 Технические характеристики

номер части:IPN70R2K0P7SATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ P7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):700 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:3A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 30µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:3.8 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:130 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):6W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-SOT223
упаковка / чехол:TO-261-3

Продукты, которые могут вас заинтересовать

RFD4N06LSM9A RFD4N06LSM9A MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA 68091

Подробнее о заказе

FCP190N65S3R0 FCP190N65S3R0 MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3 842

Подробнее о заказе

PH2925U,115 PH2925U,115 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 1247

Подробнее о заказе

NVGS3130NT1G NVGS3130NT1G MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP 879

Подробнее о заказе

NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN 919

Подробнее о заказе

IRFS4228PBF IRFS4228PBF MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK 965

Подробнее о заказе

SIA810DJ-T1-GE3 SIA810DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6 820

Подробнее о заказе

RQ3E100ATTB RQ3E100ATTB MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT 2703

Подробнее о заказе

ECH8310-TL-H ECH8310-TL-H MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH 1803

Подробнее о заказе

2N7002CK,215 2N7002CK,215 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 87914

Подробнее о заказе

NVTFS4C25NTAG NVTFS4C25NTAG MOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN 1993

Подробнее о заказе

IPP027N08N5AKSA1 IPP027N08N5AKSA1 MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 14143

Подробнее о заказе

NP15P04SLG-E1-AY NP15P04SLG-E1-AY MOSFET P-CH 40V 15A TO252 860

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11000 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.59000$0.59
3000$0.23028$690.84
6000$0.21691$1301.46
15000$0.20355$3053.25
30000$0.19419$5825.7

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top