IPB100N06S2L05ATMA2

IPB100N06S2L05ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPB100N06S2L05ATMA2
LIXINC Part # IPB100N06S2L05ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB100N06S2L05ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB100N06S2L05ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPB100N06S2L05ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:4.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:230 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5660 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):300W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

TSM60NB380CH C5G TSM60NB380CH C5G MOSFET N-CH 600V 9.5A TO251 4692

Подробнее о заказе

DMN3110S-7 DMN3110S-7 MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 6283

Подробнее о заказе

BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 78139

Подробнее о заказе

YJL2312A-F2-0100HF YJL2312A-F2-0100HF N-CH MOSFET 20V 6.8A SOT-23-3L 831

Подробнее о заказе

SUM55P06-19L-E3 SUM55P06-19L-E3 MOSFET P-CH 60V 55A TO263 4130

Подробнее о заказе

CSD19532Q5BT CSD19532Q5BT MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON 858

Подробнее о заказе

DMP2066UFDE-7 DMP2066UFDE-7 MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN 1039

Подробнее о заказе

DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP 10486

Подробнее о заказе

SI7374DP-T1-GE3 SI7374DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 847

Подробнее о заказе

DMN63D8LW-13 DMN63D8LW-13 MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 2147484525

Подробнее о заказе

HUF76429D3ST HUF76429D3ST MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA 33220

Подробнее о заказе

CSD16411Q3 CSD16411Q3 MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON 17507

Подробнее о заказе

TSM2N7000KCT B0G TSM2N7000KCT B0G MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92 970

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12923 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.21000$3.21
1000$3.21000$3210

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top