Только для справки
| номер части | IPB100N06S2L05ATMA2 |
| LIXINC Part # | IPB100N06S2L05ATMA2 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPB100N06S2L05ATMA2 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPB100N06S2L05ATMA2 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | OptiMOS™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 55 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 100A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 4.4mOhm @ 80A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 230 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 5660 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 300W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3-2 |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| TSM60NB380CH C5G | MOSFET N-CH 600V 9.5A TO251 | 4692 Подробнее о заказе |
|
| DMN3110S-7 | MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 | 6283 Подробнее о заказе |
|
| BSC110N06NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 | 78139 Подробнее о заказе |
|
| YJL2312A-F2-0100HF | N-CH MOSFET 20V 6.8A SOT-23-3L | 831 Подробнее о заказе |
|
| SUM55P06-19L-E3 | MOSFET P-CH 60V 55A TO263 | 4130 Подробнее о заказе |
|
| CSD19532Q5BT | MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON | 858 Подробнее о заказе |
|
| DMP2066UFDE-7 | MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN | 1039 Подробнее о заказе |
|
| DMP2022LSS-13 | MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP | 10486 Подробнее о заказе |
|
| SI7374DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8 | 847 Подробнее о заказе |
|
| DMN63D8LW-13 | MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 | 2147484525 Подробнее о заказе |
|
| HUF76429D3ST | MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA | 33220 Подробнее о заказе |
|
| CSD16411Q3 | MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON | 17507 Подробнее о заказе |
|
| TSM2N7000KCT B0G | MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92 | 970 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12923 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.21000 | $3.21 |
| 1000 | $3.21000 | $3210 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.