Только для справки
| номер части | SIS108DN-T1-GE3 |
| LIXINC Part # | SIS108DN-T1-GE3 |
| Производитель | Vishay / Siliconix |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 80V 6.7A/16A PPAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SIS108DN-T1-GE3 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 22 - Jan 26 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SIS108DN-T1-GE3 |
| Бренд: | Vishay / Siliconix |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Vishay / Siliconix |
| ряд: | TrenchFET® Gen IV |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 80 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 6.7A (Ta), 16A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 7.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 34mOhm @ 4A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 13 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 545 pF @ 40 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 3.2W (Ta), 24W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PowerPAK® 1212-8 |
| упаковка / чехол: | PowerPAK® 1212-8 |
| CPH3456-TL-H | MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH | 9997 Подробнее о заказе |
|
| AOI11S60 | MOSFET N-CH 600V 11A TO251A | 968 Подробнее о заказе |
|
| AUIRFSL4010 | AUTOMOTIVE POWER MOSFET | 913 Подробнее о заказе |
|
| IRFR220NTRLPBF | MOSFET N-CH 200V 5A DPAK | 1899 Подробнее о заказе |
|
| IPB050N06NGATMA1 | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | 19609 Подробнее о заказе |
|
| BST82,235 | MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB | 884 Подробнее о заказе |
|
| NVBLS0D5N04M8TXG | MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF | 21142966 Подробнее о заказе |
|
| PMV16XN215 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 240922 Подробнее о заказе |
|
| IPD35N10S3L-26 | IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU | 932 Подробнее о заказе |
|
| SIHG47N60AE-GE3 | MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC | 2896 Подробнее о заказе |
|
| PSMN3R3-60PLQ | MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB | 3148 Подробнее о заказе |
|
| CSD17484F4 | MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR | 50049 Подробнее о заказе |
|
| FQP4N90 | MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3 | 3062 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10844 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.96000 | $0.96 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.