2SJ659-DL-E | Rochester Electronics 2SJ659-DL-E | 2SJ659-DL-E Inventory, Best Pricing

2SJ659-DL-E

Увеличить

Только для справки

номер части	2SJ659-DL-E
LIXINC Part #	2SJ659-DL-E
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - fets, mosfets - rf
Описание	PCH 4V DRIVE SERIES
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2SJ659-DL-E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2SJ659-DL-E Технические характеристики

A2T08VD020NT1	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	917 Подробнее о заказе
64-9142PBF	64-9142PBF - MOSFET	840 Подробнее о заказе
NTD15N06AVT4	NFET DPAK 60V 0.120R TR	841 Подробнее о заказе
2SK1726-TD-E	NCH 4V DRIVE SERIES	26906 Подробнее о заказе
PD57060TR-E	FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10	885 Подробнее о заказе
MRF6V12500GSR5	PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE	976 Подробнее о заказе
MMRF1007HSR5	FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S	815 Подробнее о заказе
2SK404E-AC	NCH J-FET	3313 Подробнее о заказе
2SK932-23-N-TB-E	NCH J-FET	15957 Подробнее о заказе
STAC0912-250	250W 36V 960-1215 MHZ LDMOS TRAN	877 Подробнее о заказе
PTVA093002ND-V1-R5	IC RF FET LDMOS 300W PG-HB1SOF-4	946 Подробнее о заказе
VEC2610-TL-E	PCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES	630956 Подробнее о заказе
GTVA107001EC-V1	700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ	985 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.47000	$0.47

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015