RJM0603JSC-00#13 | Renesas Electronics America RJM0603JSC-00#13 | RJM0603JSC-00#13 Inventory, Best Pricing

RJM0603JSC-00#13

Увеличить

Только для справки

номер части	RJM0603JSC-00#13
LIXINC Part #	RJM0603JSC-00#13
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RJM0603JSC-00#13 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RJM0603JSC-00#13 Технические характеристики

номер части:	RJM0603JSC-00#13
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	-
статус детали:	Obsolete
тип фета:	3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Фет-функция:	Logic Level Gate, 4.5V Drive
напряжение сток-исток (vdss):	60V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	20A
rds on (max) @ id, vgs:	20mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	43nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2600pF @ 10V
мощность - макс.:	54W
Рабочая Температура:	175°C
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
пакет устройств поставщика:	20-HSOP

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015